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  • 制冷振荡型-BG100

制冷振荡型-BG100

制冷振荡型-BG100

冷振荡型——BG100技术方案:半导体技术控温范围:0°C -100°C升温时间:﹤15min(从25°C升至100°C)制冷时间:≤25min(从室温下降到室温以下20°C,环境温度为30°C以下检测)控温精度:±0.3°C

冷振荡型——BG100

技术方案:半导体技术
控温范围:0°C - 100°C
升温时间:﹤15min(从25°C升至100°C)
制冷时间:≤25min (从室温下降到室温以下20°C,环境温度为30°C以下检测)

控温精度:±0.3°C


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